Instrumentation Cryog nique En Technologie BICMOS Sige

Les travaux présentés dans ce manuscrit de thčse sont consacrés au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particuličrement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation ŕ température cryogénique. Un état de l'art sur les transistors bipolaires et les bruits électroniques que l'on rencontre sur ce genre de technologie sont donnés avec une approche orientée vers les basses températures. Ces rappels permettent d'aborder les mesures, des paramčtres basse fréquence et du bruit, réalisées sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe ŕ 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite présenté deux réalisations d'ASIC cryogénique en technologie standard BiCMOS SiGe. La premičre est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant ŕ 77 K. Il est destiné ŕ la caractérisation de bolomčtres supraconducteurs YBaCuO ŕ électrons chauds. La seconde réalisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, présenté le développement, la réalisation et le test d'un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) ŕ entrées multiplexées fonctionnant ŕ 4.2 K.