Effet Du Faible D bit de Dose Sur Les Technologies Bipolaires

Les technologies bipolaires jouent des rôles primordiaux dans les systčmes spatiaux soumis ŕ des conditions radiatives. Dans un environnement ionisant, le courant de base des transistors bipolaires augmente et le gain en courant diminue. Pour une męme dose totale, de nombreuses technologies bipolaires se dégradent plus ŕ faible débit de dose qu'ŕ fort débit ce qui pose un problčme au niveau du durcissement. Des méthodes de prédiction de la réponse faible débit de dose, telles que les irradiations en températures, ont données des résultats prometteurs pour l'identification de technologies montrant une augmentation de la dégradation ŕ faible débit de dose. Cependant, aucun test s'appliquant ŕ toutes les technologies bipolaires n'a été identifié. En se basant sur un travail expérimental, une explication physique des phénomčnes se produisant au cours d'irradiations ŕ températures élevées a été donnée et un modčle de dégradation a été développé. A partir de l'observation des résultats obtenus, une nouvelle approche du test de composants est proposée. Cette approche est basée sur la commutation d'un fort débit de dose vers un faible débit.